SCT4045DW7TL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - SCT4045DW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 598.42 грн |
| 250+ | 579.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT4045DW7TL ROHM
Description: 750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V, Power Dissipation (Max): 93W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA, Supplier Device Package: TO-263-7L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +21V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V.
Інші пропозиції SCT4045DW7TL за ціною від 456.70 грн до 916.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT4045DW7TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V Power Dissipation (Max): 93W Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA Supplier Device Package: TO-263-7L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +21V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V |
на замовлення 418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCT4045DW7TL | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs TO263 750V 31A N-CH SIC |
на замовлення 1951 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SCT4045DW7TL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SCT4045DW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 93W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SCT4045DW7TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V Power Dissipation (Max): 93W Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA Supplier Device Package: TO-263-7L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +21V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V |
товару немає в наявності |