Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SCT4045DWAHRTL
SCT4045DWAHRTL

SCT4045DWAHRTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=SCT4045DWAHR&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+359.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT4045DWAHRTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SCT4045DWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.059 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 93W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SCT4045DWAHRTL за ціною від 356.91 грн до 831.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT4045DWAHRTL SCT4045DWAHRTL ROHM 4155171.pdf Description: ROHM - SCT4045DWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.059 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+584.72 грн
50+499.58 грн
100+364.50 грн
250+356.91 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DWAHRTL SCT4045DWAHRTL Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT4045DWAHR&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: 750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+803.04 грн
10+536.37 грн
100+423.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DWAHRTL SCT4045DWAHRTL ROHM 4155171.pdf Description: ROHM - SCT4045DWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.059 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+830.37 грн
5+707.94 грн
10+584.72 грн
50+499.58 грн
100+364.50 грн
250+356.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DWAHRTL SCT4045DWAHRTL ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT4045DWAHR&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key SiC MOSFETs TO263 750V 31A N-CH SIC
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+831.17 грн
10+595.42 грн
100+387.97 грн
500+371.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DWAHRTL 4155171.pdf
SCT4045DWAHRTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT4045DWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.059 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+584.72 грн
50+499.58 грн
100+364.50 грн
250+356.91 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DWAHRTL datasheet?p=SCT4045DWAHR&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
SCT4045DWAHRTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+803.04 грн
10+536.37 грн
100+423.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DWAHRTL 4155171.pdf
SCT4045DWAHRTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT4045DWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.059 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+830.37 грн
5+707.94 грн
10+584.72 грн
50+499.58 грн
100+364.50 грн
250+356.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DWAHRTL datasheet?p=SCT4045DWAHR&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
SCT4045DWAHRTL
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs TO263 750V 31A N-CH SIC
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+831.17 грн
10+595.42 грн
100+387.97 грн
500+371.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.