Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SCT4045DWATL
SCT4045DWATL

SCT4045DWATL Rohm Semiconductor

datasheet?p=SCT4045DWA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+349.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT4045DWATL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SCT4045DWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.059 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 93W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm.

Інші пропозиції SCT4045DWATL за ціною від 342.41 грн до 796.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT4045DWATL SCT4045DWATL ROHM 4155170.pdf Description: ROHM - SCT4045DWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.059 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 93W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+500.96 грн
50+421.80 грн
100+349.31 грн
250+342.41 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DWATL SCT4045DWATL ROHM 4155170.pdf Description: ROHM - SCT4045DWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.059 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 93W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+705.53 грн
5+603.24 грн
10+500.96 грн
50+421.80 грн
100+349.31 грн
250+342.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DWATL SCT4045DWATL Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT4045DWA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: 750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+785.18 грн
10+523.73 грн
100+411.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DWATL SCT4045DWATL ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT4045DWA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key SiC MOSFETs TO263 750V 31A N-CH SIC
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+796.54 грн
10+573.19 грн
100+372.78 грн
500+353.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DWATL 4155170.pdf
SCT4045DWATL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT4045DWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.059 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 93W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+500.96 грн
50+421.80 грн
100+349.31 грн
250+342.41 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DWATL 4155170.pdf
SCT4045DWATL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT4045DWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.059 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 93W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+705.53 грн
5+603.24 грн
10+500.96 грн
50+421.80 грн
100+349.31 грн
250+342.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DWATL datasheet?p=SCT4045DWA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
SCT4045DWATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+785.18 грн
10+523.73 грн
100+411.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4045DWATL datasheet?p=SCT4045DWA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
SCT4045DWATL
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs TO263 750V 31A N-CH SIC
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+796.54 грн
10+573.19 грн
100+372.78 грн
500+353.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.