SCT4062KEHRC11

SCT4062KEHRC11 Rohm Semiconductor


datasheet?p=SCT4062KEHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 26A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+879.63 грн
10+743.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT4062KEHRC11 Rohm Semiconductor

Description: 1200V, 26A, 3-PIN THD, TRENCH-ST, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V, Power Dissipation (Max): 115W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA, Supplier Device Package: TO-247N, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +21V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SCT4062KEHRC11 за ціною від 670.40 грн до 1191.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCT4062KEHRC11 SCT4062KEHRC11 Виробник : ROHM datasheet?p=SCT4062KEHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SCT4062KEHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1176.49 грн
5+1107.33 грн
10+1037.35 грн
50+795.83 грн
100+691.57 грн
250+670.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KEHRC11 SCT4062KEHRC11 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT4062KEHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 1200V, 26A MOSFET
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1191.01 грн
10+1035.58 грн
25+875.55 грн
50+826.38 грн
100+777.94 грн
250+754.46 грн
450+704.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.