SCT4062KRC15 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 62M, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Power Dissipation (Max): 115W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 985.68 грн |
| 10+ | 664.35 грн |
| 450+ | 447.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT4062KRC15 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCT4062KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SCT4062KRC15
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT4062KRC15 | ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 26A N-CH SIC |
на замовлення 322 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
SCT4062KRC15 | ROHM |
Description: ROHM - SCT4062KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SCT4062KRC15 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SCT4062KRC15 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT4062KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - SCT4062KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)