SCT4062KRHRC15 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - SCT4062KRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1076.05 грн |
| 5+ | 917.15 грн |
| 10+ | 758.26 грн |
| 50+ | 690.33 грн |
| 100+ | 623.82 грн |
| 250+ | 611.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT4062KRHRC15 ROHM
Description: 1200V, 26A, 4-PIN THD, TRENCH-ST, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V, Power Dissipation (Max): 115W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +21V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SCT4062KRHRC15 за ціною від 633.63 грн до 1211.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT4062KRHRC15 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 1200V, 26A MOSFET |
на замовлення 679 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SCT4062KRHRC15 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 1200V, 26A, 4-PIN THD, TRENCH-ST Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V Power Dissipation (Max): 115W Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +21V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|