Продукція > ROHM > SCT4062KWAHRTL
SCT4062KWAHRTL

SCT4062KWAHRTL ROHM

sct4062kwahr-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT4062KWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+503.02 грн
50+432.49 грн
100+366.56 грн
250+359.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT4062KWAHRTL ROHM

Description: 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V, Power Dissipation (Max): 93W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA, Supplier Device Package: TO-263-7LA, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +21V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SCT4062KWAHRTL за ціною від 359.30 грн до 1103.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCT4062KWAHRTL SCT4062KWAHRTL Виробник : ROHM sct4062kwahr-e.pdf Description: ROHM - SCT4062KWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+708.80 грн
5+606.34 грн
10+503.02 грн
50+432.49 грн
100+366.56 грн
250+359.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KWAHRTL SCT4062KWAHRTL Виробник : ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+878.95 грн
10+743.12 грн
25+585.80 грн
100+537.49 грн
250+506.54 грн
500+474.83 грн
1000+426.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KWAHRTL SCT4062KWAHRTL Виробник : Rohm Semiconductor Description: 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 93W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+887.64 грн
10+605.96 грн
100+454.64 грн
500+394.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KWAHRTL Виробник : Rohm Semiconductor sct4062kwahr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263-LA T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+610.54 грн
500+587.08 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KWAHRTL Виробник : Rohm Semiconductor sct4062kwahr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263-LA T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+1103.65 грн
16+796.28 грн
50+705.51 грн
100+575.88 грн
200+511.12 грн
500+434.09 грн
1000+407.57 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KWAHRTL SCT4062KWAHRTL Виробник : Rohm Semiconductor Description: 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 93W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.