Продукція > ROHM > SCT4062KWAHRTL
SCT4062KWAHRTL

SCT4062KWAHRTL ROHM

sct4062kwahr-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT4062KWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 93W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+482.83 грн
50+415.13 грн
100+351.85 грн
250+344.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT4062KWAHRTL ROHM

Description: 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V, Power Dissipation (Max): 93W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA, Supplier Device Package: TO-263-7LA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +21V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SCT4062KWAHRTL за ціною від 344.88 грн до 826.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT4062KWAHRTL SCT4062KWAHRTL ROHM sct4062kwahr-e.pdf Description: ROHM - SCT4062KWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 93W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+680.35 грн
5+582.00 грн
10+482.83 грн
50+415.13 грн
100+351.85 грн
250+344.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KWAHRTL SCT4062KWAHRTL ROHM Semiconductor sct4062kwahr-e.pdf SiC MOSFETs TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+811.22 грн
10+685.86 грн
25+540.66 грн
100+496.07 грн
250+467.50 грн
500+438.24 грн
1000+393.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KWAHRTL SCT4062KWAHRTL Rohm Semiconductor sct4062kwahr-e.pdf Description: 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 93W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+826.14 грн
10+552.05 грн
100+438.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KWAHRTL sct4062kwahr-e.pdf
SCT4062KWAHRTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT4062KWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 93W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+680.35 грн
5+582.00 грн
10+482.83 грн
50+415.13 грн
100+351.85 грн
250+344.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KWAHRTL sct4062kwahr-e.pdf
SCT4062KWAHRTL
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+811.22 грн
10+685.86 грн
25+540.66 грн
100+496.07 грн
250+467.50 грн
500+438.24 грн
1000+393.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KWAHRTL sct4062kwahr-e.pdf
SCT4062KWAHRTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 93W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+826.14 грн
10+552.05 грн
100+438.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.