Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SCT4062KWATL

SCT4062KWATL ROHM Semiconductor

Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs TO263 1.2KV 24A N-CH SIC

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SCT4062KWATL ROHM Semiconductor

Description: ROHM - SCT4062KWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.081 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 93W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm.

Інші пропозиції SCT4062KWATL за ціною від 450.57 грн до 1249.34 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SCT4062KWATL

ROHM

Description: ROHM - SCT4062KWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.081 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 93W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SCT4062KWATL

ROHM

Description: ROHM - SCT4062KWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.081 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 93W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

SCT4062KWATL

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263-LA T/R

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	629.27 грн
50+	577.53 грн
100+	525.78 грн
250+	504.33 грн
500+	465.32 грн

Мінімальне замовлення: 23 шт

В кошику од. на суму грн.

SCT4062KWATL

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263-LA T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1249.34 грн
16+	894.58 грн
50+	793.21 грн
100+	646.69 грн
200+	573.53 грн
500+	480.88 грн
1000+	450.57 грн

Мінімальне замовлення: 12 шт

В кошику од. на суму грн.

SCT4062KWATL

Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT4062KWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.081 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 93W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SCT4062KWATL

Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT4062KWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.081 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 93W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

SCT4062KWATL

Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263-LA T/R

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
23+	629.27 грн
50+	577.53 грн
100+	525.78 грн
250+	504.33 грн
500+	465.32 грн

Мінімальне замовлення: 23 шт

В кошику од. на суму грн.

SCT4062KWATL

Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263-LA T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
12+	1249.34 грн
16+	894.58 грн
50+	793.21 грн
100+	646.69 грн
200+	573.53 грн
500+	480.88 грн
1000+	450.57 грн

Мінімальне замовлення: 12 шт

В кошику од. на суму грн.