Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SCT4062KWATL
SCT4062KWATL

SCT4062KWATL ROHM Semiconductor


Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
на замовлення 750 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+882.46 грн
10+620.36 грн
100+403.85 грн
500+384.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT4062KWATL ROHM Semiconductor

Description: ROHM - SCT4062KWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.081 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 93W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm.

Інші пропозиції SCT4062KWATL за ціною від 454.59 грн до 1260.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT4062KWATL SCT4062KWATL ROHM 4155172.pdf Description: ROHM - SCT4062KWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.081 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 93W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KWATL SCT4062KWATL ROHM 4155172.pdf Description: ROHM - SCT4062KWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.081 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 93W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KWATL Rohm Semiconductor sct4062kwa-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263-LA T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+634.88 грн
50+582.67 грн
100+530.46 грн
250+508.82 грн
500+469.47 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KWATL Rohm Semiconductor sct4062kwa-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263-LA T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1260.47 грн
16+902.55 грн
50+800.28 грн
100+652.45 грн
200+578.64 грн
500+485.16 грн
1000+454.59 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KWATL 4155172.pdf
SCT4062KWATL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT4062KWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.081 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 93W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KWATL 4155172.pdf
SCT4062KWATL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT4062KWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.081 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 93W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KWATL sct4062kwa-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263-LA T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+634.88 грн
50+582.67 грн
100+530.46 грн
250+508.82 грн
500+469.47 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KWATL sct4062kwa-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263-LA T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+1260.47 грн
16+902.55 грн
50+800.28 грн
100+652.45 грн
200+578.64 грн
500+485.16 грн
1000+454.59 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.