SCT4062KWATL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - SCT4062KWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.081 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 630.60 грн |
| 50+ | 512.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT4062KWATL ROHM
Description: ROHM - SCT4062KWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.081 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 93W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SCT4062KWATL за ціною від 380.17 грн до 1085.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SCT4062KWATL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SCT4062KWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.081 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 93W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SCT4062KWATL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA Supplier Device Package: TO-263-7LA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +21V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V |
на замовлення 999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SCT4062KWATL | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs TO263 1.2KV 24A N-CH SIC |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SCT4062KWATL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263-LA T/R |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SCT4062KWATL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263-LA T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
SCT4062KWATL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA Supplier Device Package: TO-263-7LA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +21V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V |
товару немає в наявності |