Продукція > ROHM > SCT4062KWATL
SCT4062KWATL

SCT4062KWATL ROHM

4155172.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT4062KWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.081 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 93W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+464.71 грн
50+422.55 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT4062KWATL ROHM

Description: ROHM - SCT4062KWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.081 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 93W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm.

Інші пропозиції SCT4062KWATL за ціною від 361.74 грн до 831.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT4062KWATL SCT4062KWATL ROHM 4155172.pdf Description: ROHM - SCT4062KWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.081 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 93W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+637.88 грн
5+551.70 грн
10+464.71 грн
50+422.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KWATL SCT4062KWATL Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT4062KWA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+711.40 грн
10+499.58 грн
100+374.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KWATL SCT4062KWATL ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT4062KWA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key SiC MOSFETs TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+831.17 грн
10+584.30 грн
100+380.38 грн
500+361.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KWATL 4155172.pdf
SCT4062KWATL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT4062KWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.081 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 93W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+637.88 грн
5+551.70 грн
10+464.71 грн
50+422.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KWATL datasheet?p=SCT4062KWA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
SCT4062KWATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+711.40 грн
10+499.58 грн
100+374.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4062KWATL datasheet?p=SCT4062KWA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
SCT4062KWATL
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+831.17 грн
10+584.30 грн
100+380.38 грн
500+361.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.