SCT4065DEHRC11 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 745.46 грн |
| 30+ | 425.21 грн |
| 120+ | 361.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT4065DEHRC11 Rohm Semiconductor
SiC MOSFETs Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 25A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive.
Інші пропозиції SCT4065DEHRC11
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT4065DEHRC11 | ROHM Semiconductor |
 SiC MOSFETs Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 25A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SCT4065DEHRC11 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 25A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive
SiC MOSFETs Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 25A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)