SCT50N120 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 318W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 400 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1966.12 грн |
| 30+ | 1223.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT50N120 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCT50N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.069 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 318W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 318W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції SCT50N120 за ціною від 1708.49 грн до 2556.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT50N120 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 318W On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 318W Gate charge: 122nC Polarisation: unipolar Technology: SiC; SiCFET Drain current: 50A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -10...25V Kind of package: tube Case: HIP247™ |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SCT50N120 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
на замовлення 575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
SCT50N120 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
на замовлення 575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
SCT50N120 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
на замовлення 642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SCT50N120 | STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 mOhm typ., 65 A in an HiP247 package |
на замовлення 329 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SCT50N120 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 318W
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 318W
Gate charge: 122nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC; SiCFET
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...25V
Kind of package: tube
Case: HIP247™
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 318W
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 318W
Gate charge: 122nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC; SiCFET
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...25V
Kind of package: tube
Case: HIP247™
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2169.97 грн |
| 3+ | 1927.94 грн |
| 10+ | 1834.23 грн |
| 30+ | 1833.39 грн |
| SCT50N120 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2228.76 грн |
| 10+ | 1708.49 грн |
| SCT50N120 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 2228.76 грн |
| 10+ | 1708.49 грн |
| SCT50N120 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 2556.23 грн |
| SCT50N120 |
|
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 mOhm typ., 65 A in an HiP247 package
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 mOhm typ., 65 A in an HiP247 package
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)