Продукція > STMICROELECTRONICS > SCT50N120
SCT50N120

SCT50N120 STMicroelectronics

SCT50N120.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 318W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Power dissipation: 318W
Case: HIP247™
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 70mΩ
Pulsed drain current: 130A
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2174.81 грн
3+1932.25 грн
10+1838.32 грн
30+1837.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT50N120 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SCT50N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.069 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 318W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 318W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції SCT50N120 за ціною від 1712.31 грн до 2561.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT50N120 SCT50N120 STMicroelectronics sct50n120.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2233.73 грн
10+1712.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT50N120 SCT50N120 STMicroelectronics sct50n120.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2233.73 грн
10+1712.31 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT50N120 SCT50N120 STMicroelectronics sct50n120.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2561.93 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT50N120 SCT50N120 STMicroelectronics sct50n120.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 mOhm typ., 65 A in an HiP247 package
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT50N120 sct50n120.pdf
SCT50N120
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2233.73 грн
10+1712.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT50N120 sct50n120.pdf
SCT50N120
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+2233.73 грн
10+1712.31 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT50N120 sct50n120.pdf
SCT50N120
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+2561.93 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT50N120 sct50n120.pdf
SCT50N120
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 mOhm typ., 65 A in an HiP247 package
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.