SCT50N120 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 mOhm typ., 65 A in an HiP247 package
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2007.61 грн |
| 10+ | 1629.06 грн |
| 100+ | 1251.30 грн |
| 600+ | 1230.09 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT50N120 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCT50N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.069 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 318W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 318W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції SCT50N120 за ціною від 1723.75 грн до 2579.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SCT50N120 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 318W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; SiCFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 50A Power dissipation: 318W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 122nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 130A Kind of package: tube |
на замовлення 41 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
SCT50N120 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
на замовлення 575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
SCT50N120 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
на замовлення 575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
SCT50N120 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
на замовлення 642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SCT50N120 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 318W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Power dissipation: 318W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 130A
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 318W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Power dissipation: 318W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 130A
Kind of package: tube
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2140.14 грн |
| 2+ | 1880.82 грн |
| 10+ | 1809.02 грн |
| 30+ | 1808.19 грн |
| SCT50N120 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2248.65 грн |
| 10+ | 1723.75 грн |
| SCT50N120 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 2248.65 грн |
| 10+ | 1723.75 грн |
| SCT50N120 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 2579.05 грн |




