Продукція > STMICROELECTRONICS > SCT50N120
SCT50N120

SCT50N120 STMicroelectronics

sct50n120.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 318W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 400 V
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1970.51 грн
30+1226.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT50N120 STMicroelectronics

Description: SICFET N-CH 1200V 65A HIP247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 40A, 20V, Power Dissipation (Max): 318W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: HiP247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 400 V.

Інші пропозиції SCT50N120 за ціною від 1837.48 грн до 2174.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT50N120 SCT50N120 STMicroelectronics SCT50N120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 318W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 318W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2174.81 грн
3+1932.25 грн
10+1838.32 грн
30+1837.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT50N120 SCT50N120 STMicroelectronics sct50n120.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 mOhm typ., 65 A in an HiP247 package
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT50N120 SCT50N120.pdf
SCT50N120
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 318W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 318W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2174.81 грн
3+1932.25 грн
10+1838.32 грн
30+1837.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT50N120 sct50n120.pdf
SCT50N120
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 mOhm typ., 65 A in an HiP247 package
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.