SCT50N120 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsMOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 308-317 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2117.78 грн |
| 25+ | 1731.29 грн |
| 50+ | 1504.8 грн |
| 100+ | 1411.33 грн |
| 600+ | 1216.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT50N120 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCT50N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.069 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 318W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 318W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції SCT50N120 за ціною від 2317.87 грн до 3115.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT50N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 318W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 50A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 122nC Technology: SiC; SiCFET Gate-source voltage: -10...25V Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 318W Mounting: THT Case: HIP247™ |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
|
|
SCT50N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 318W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 50A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 122nC Technology: SiC; SiCFET Gate-source voltage: -10...25V Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 318W Mounting: THT Case: HIP247™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||
| SCT50N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||
 |
SCT50N120 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT50N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.069 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 318W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 318W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
товар відсутній |
|||||||
 |
SCT50N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||
 |
SCT50N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: SICFET N-CH 1200V 65A HIP247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 318W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: HiP247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 400 V |
товар відсутній |