
SCTH100N65G2-7AG STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ 95 A
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2041.17 грн |
10+ | 1691.56 грн |
25+ | 1464.39 грн |
50+ | 1457.13 грн |
100+ | 1415.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCTH100N65G2-7AG STMicroelectronics
Description: SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 50A, 18V, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA, Supplier Device Package: H2PAK-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315 pF @ 520 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SCTH100N65G2-7AG за ціною від 1429.16 грн до 2335.29 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SCTH100N65G2-7AG | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 50A, 18V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Supplier Device Package: H2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315 pF @ 520 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
SCTH100N65G2-7AG | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||
![]() |
SCTH100N65G2-7AG | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
SCTH100N65G2-7AG | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||
![]() |
SCTH100N65G2-7AG | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 50A, 18V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Supplier Device Package: H2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315 pF @ 520 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |