Продукція > STMICROELECTRONICS > SCTH100N65G2-7AG
SCTH100N65G2-7AG

SCTH100N65G2-7AG STMicroelectronics

scth100n65g2_7ag-1761498.pdf Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ 95 A
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2041.17 грн
10+1691.56 грн
25+1464.39 грн
50+1457.13 грн
100+1415.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCTH100N65G2-7AG STMicroelectronics

Description: SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 50A, 18V, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA, Supplier Device Package: H2PAK-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315 pF @ 520 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SCTH100N65G2-7AG за ціною від 1429.16 грн до 2335.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCTH100N65G2-7AG SCTH100N65G2-7AG Виробник : STMicroelectronics scth100n65g2-7ag.pdf Description: SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315 pF @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2335.29 грн
10+1653.23 грн
100+1429.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH100N65G2-7AG Виробник : STMicroelectronics scth100n65g2-7ag.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 95A Automotive 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH100N65G2-7AG SCTH100N65G2-7AG Виробник : STMicroelectronics scth100n65g2-7ag.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 95A Automotive 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH100N65G2-7AG Виробник : STMicroelectronics scth100n65g2-7ag.pdf SCTH100N65G2-7AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH100N65G2-7AG SCTH100N65G2-7AG Виробник : STMicroelectronics scth100n65g2-7ag.pdf Description: SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315 pF @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.