SCTH35N65G2V-7AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 571.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCTH35N65G2V-7AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCTH35N65G2V-7AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 208W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: H2PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SCTH35N65G2V-7AG за ціною від 446.45 грн до 1044.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCTH35N65G2V-7AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCTH35N65G2V-7AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 208W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SCTH35N65G2V-7AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCTH35N65G2V-7AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCTH35N65G2V-7AG | Виробник : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ. TJ = 25 |
на замовлення 372 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SCTH35N65G2V-7AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: H2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCTH35N65G2V-7AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A Automotive 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SCTH35N65G2V-7AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
SCTH35N65G2V-7AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R |
товару немає в наявності |