SCTH35N65G2V-7AG STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTH35N65G2V-7AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 208W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 709.46 грн |
| 50+ | 646.34 грн |
| 100+ | 585.13 грн |
| 250+ | 573.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCTH35N65G2V-7AG STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTH35N65G2V-7AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 208W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: H2PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SCTH35N65G2V-7AG за ціною від 440.94 грн до 1047.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCTH35N65G2V-7AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: H2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SCTH35N65G2V-7AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCTH35N65G2V-7AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCTH35N65G2V-7AG | Виробник : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ. TJ = 25 |
на замовлення 372 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCTH35N65G2V-7AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A Automotive 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SCTH35N65G2V-7AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
SCTH35N65G2V-7AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SCTH35N65G2V-7AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: H2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SCTH35N65G2V-7AG | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 208W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 45A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 208W Case: H2PAK7 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 67mΩ Mounting: SMD Gate charge: 73nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |