Продукція > STMICROELECTRONICS > SCTH60N120G2-7
SCTH60N120G2-7

SCTH60N120G2-7 STMICROELECTRONICS

scth60n120g2-7.pdf
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTH60N120G2-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCTH60N120G2-7 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - SCTH60N120G2-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, H2PAK, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 390W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 390W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: H2PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm.

Інші пропозиції SCTH60N120G2-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCTH60N120G2-7 SCTH60N120G2-7 STMICROELECTRONICS 3512215.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCTH60N120G2-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 390W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 390W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH60N120G2-7 3512215.pdf
SCTH60N120G2-7
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTH60N120G2-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 390W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 390W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.