Продукція > STMICROELECTRONICS > SCTL35N65G2V
SCTL35N65G2V

SCTL35N65G2V STMicroelectronics

sctl35n65g2v.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+570.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCTL35N65G2V STMicroelectronics

Description: TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V, Power Dissipation (Max): 417W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V.

Інші пропозиції SCTL35N65G2V за ціною від 672.75 грн до 1151.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCTL35N65G2V SCTL35N65G2V STMicroelectronics sctl35n65g2v.pdf Description: TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
на замовлення 5652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1151.42 грн
10+783.69 грн
100+672.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTL35N65G2V SCTL35N65G2V STMicroelectronics sctl35n65g2v.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
на замовлення 2311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTL35N65G2V sctl35n65g2v.pdf
SCTL35N65G2V
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
на замовлення 5652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1151.42 грн
10+783.69 грн
100+672.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTL35N65G2V sctl35n65g2v.pdf
SCTL35N65G2V
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
на замовлення 2311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.