
SCTL90N65G2V STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - SCTL90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.018 ohm, PowerFLAT
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 935W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 935W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 1701.74 грн |
50+ | 1565.62 грн |
100+ | 1369.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCTL90N65G2V STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTL90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.018 ohm, PowerFLAT, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 935W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 935W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SCTL90N65G2V за ціною від 1472.10 грн до 2755.62 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SCTL90N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2733 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SCTL90N65G2V | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 935W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SCTL90N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
SCTL90N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
SCTL90N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
SCTL90N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 18V Power Dissipation (Max): 935W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
SCTL90N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 18V Power Dissipation (Max): 935W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |