Продукція > STMICROELECTRONICS > SCTL90N65G2V
SCTL90N65G2V

SCTL90N65G2V STMICROELECTRONICS

3207675.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTL90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.018 ohm, PowerFLAT
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 935W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 935W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1701.74 грн
50+1565.62 грн
100+1369.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCTL90N65G2V STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - SCTL90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.018 ohm, PowerFLAT, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 935W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 935W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SCTL90N65G2V за ціною від 1472.10 грн до 2755.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCTL90N65G2V SCTL90N65G2V Виробник : STMicroelectronics sctl90n65g2v-2238257.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2321.69 грн
10+1862.97 грн
25+1586.87 грн
50+1572.89 грн
100+1490.49 грн
250+1472.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTL90N65G2V SCTL90N65G2V Виробник : STMICROELECTRONICS 3207675.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCTL90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.018 ohm, PowerFLAT
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 935W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2755.62 грн
5+2617.80 грн
10+2153.99 грн
50+1964.88 грн
100+1616.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTL90N65G2V Виробник : STMicroelectronics sctl90n65g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 5-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTL90N65G2V Виробник : STMicroelectronics sctl90n65g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 5-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTL90N65G2V Виробник : STMicroelectronics sctl90n65g2v.pdf SCTL90N65G2V SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTL90N65G2V SCTL90N65G2V Виробник : STMicroelectronics sctl90n65g2v.pdf Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTL90N65G2V SCTL90N65G2V Виробник : STMicroelectronics sctl90n65g2v.pdf Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.