SCTW100N65G2AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 650V 100A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 420W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Supplier Device Package: HiP247™
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315 pF @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1731.68 грн |
| 30+ | 1532.06 грн |
| 120+ | 1515.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCTW100N65G2AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW100N65G2AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.02 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 420W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SCTW100N65G2AG за ціною від 1764.22 грн до 3430.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCTW100N65G2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCTW100N65G2AG | Виробник : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A, 20 mOhm |
на замовлення 586 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCTW100N65G2AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW100N65G2AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.02 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 420W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SCTW100N65G2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SCTW100N65G2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
SCTW100N65G2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SCTW100N65G2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| SCTW100N65G2AG | Виробник : STMicroelectronics |
SCTW100N65G2AG THT N channel transistors |
товару немає в наявності |