Продукція > SCT > SCTW35N65G2V

SCTW35N65G2V

sctw35n65g2v.pdf
Код товару: 184678
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SCTW35N65G2V за ціною від 731.56 грн до 1235.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCTW35N65G2V SCTW35N65G2V STMicroelectronics sctw35n65g2v.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: HIP247™
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 90A
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 73nC
Drain current: 45A
Power dissipation: 240W
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+731.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2V SCTW35N65G2V STMICROELECTRONICS SGST-S-A0009026417-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - SCTW35N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 240W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1235.52 грн
5+1081.08 грн
10+895.76 грн
50+745.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2V SCTW35N65G2V STMicroelectronics sctw35n65g2v.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 45 A in an HiP247 package
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2V sctw35n65g2v.pdf
SCTW35N65G2V
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: HIP247™
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 90A
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 73nC
Drain current: 45A
Power dissipation: 240W
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+731.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2V SGST-S-A0009026417-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SCTW35N65G2V
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW35N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 240W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1235.52 грн
5+1081.08 грн
10+895.76 грн
50+745.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2V sctw35n65g2v.pdf
SCTW35N65G2V
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 45 A in an HiP247 package
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.