Продукція > STMICROELECTRONICS > SCTW35N65G2V
SCTW35N65G2V

SCTW35N65G2V STMicroelectronics

sctw35n65g2v.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+374.78 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCTW35N65G2V STMicroelectronics

Description: SICFET N-CH 650V 45A HIP247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V, Power Dissipation (Max): 240W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: HiP247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SCTW35N65G2V за ціною від 403.88 грн до 1352.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCTW35N65G2V SCTW35N65G2V Виробник : STMicroelectronics sctw35n65g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+403.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2V SCTW35N65G2V Виробник : STMicroelectronics sctw35n65g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+427.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2V SCTW35N65G2V Виробник : STMicroelectronics sctw35n65g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+730.00 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2V SCTW35N65G2V Виробник : STMicroelectronics sctw35n65g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+773.37 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2V SCTW35N65G2V Виробник : STMicroelectronics sctw35n65g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+782.15 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2V SCTW35N65G2V Виробник : STMicroelectronics sctw35n65g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+828.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2V SCTW35N65G2V Виробник : STMicroelectronics sctw35n65g2v.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 240W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+871.08 грн
5+710.55 грн
30+645.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2V SCTW35N65G2V Виробник : STMicroelectronics sctw35n65g2v.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 45 A in an HiP247 package
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+871.91 грн
10+711.21 грн
100+567.04 грн
600+497.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2V SCTW35N65G2V Виробник : STMicroelectronics sctw35n65g2v.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 240W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1045.30 грн
5+885.46 грн
30+774.02 грн
150+727.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2V SCTW35N65G2V Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0009026417-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - SCTW35N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1352.25 грн
5+1183.54 грн
10+980.40 грн
50+816.06 грн
100+695.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2V
Код товару: 184678
Додати до обраних Обраний товар

sctw35n65g2v.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2V Виробник : STMicroelectronics sctw35n65g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2V SCTW35N65G2V Виробник : STMicroelectronics sctw35n65g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2V SCTW35N65G2V Виробник : STMicroelectronics sctw35n65g2v.pdf Description: SICFET N-CH 650V 45A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.