SCTW35N65G2V
Код товару: 184678
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції SCTW35N65G2V за ціною від 389.84 грн до 1280.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCTW35N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SCTW35N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCTW35N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 45 A in an HiP247 package |
на замовлення 1188 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCTW35N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 45A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 240W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 73nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SCTW35N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SCTW35N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube |
на замовлення 352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SCTW35N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SCTW35N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube |
на замовлення 352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCTW35N65G2V | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW35N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 240W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SCTW35N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
SCTW35N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Description: SICFET N-CH 650V 45A HIP247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: HiP247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |