Продукція > STMICROELECTRONICS > SCTW35N65G2VAG
SCTW35N65G2VAG

SCTW35N65G2VAG STMicroelectronics

en.dm00589753.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+925.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCTW35N65G2VAG STMicroelectronics

Description: SICFET N-CH 650V 45A HIP247, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V, Part Status: Active, Supplier Device Package: HiP247™, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 240W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції SCTW35N65G2VAG за ціною від 925.37 грн до 925.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCTW35N65G2VAG SCTW35N65G2VAG STMicroelectronics en.dm00589753.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+925.37 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2VAG SCTW35N65G2VAG STMICROELECTRONICS sctw35n65g2vag.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCTW35N65G2VAG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 240W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2VAG SCTW35N65G2VAG STMicroelectronics sctw35n65g2vag.pdf SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 2
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2VAG en.dm00589753.pdf
SCTW35N65G2VAG
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+925.37 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2VAG sctw35n65g2vag.pdf
SCTW35N65G2VAG
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW35N65G2VAG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 240W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2VAG sctw35n65g2vag.pdf
SCTW35N65G2VAG
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 2
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.