SCTW35N65G2VAG STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW35N65G2VAG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 240W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 634.05 грн |
| 5+ | 621.19 грн |
| 10+ | 608.33 грн |
| 50+ | 553.69 грн |
| 100+ | 500.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCTW35N65G2VAG STMICROELECTRONICS
Description: SICFET N-CH 650V 45A HIP247, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V, Part Status: Active, Supplier Device Package: HiP247™, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 240W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції SCTW35N65G2VAG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SCTW35N65G2VAG | STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 2 |
на замовлення 181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SCTW35N65G2VAG |
|
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 2
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 2
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)