SCTW40N120G2V STMicroelectronics
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 742.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCTW40N120G2V STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW40N120G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SCTW40N120G2V за ціною від 652.71 грн до 1038.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SCTW40N120G2V | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
на замовлення 453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCTW40N120G2V | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW40N120G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCTW40N120G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA Supplier Device Package: HiP247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233 pF @ 800 V |
на замовлення 541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCTW40N120G2V | Виробник : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ 36 A |
на замовлення 346 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SCTW40N120G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
SCTW40N120G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SCTW40N120G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SCTW40N120G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 108A; 278W; HIP247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 36A Pulsed drain current: 108A Power dissipation: 278W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SCTW40N120G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 108A; 278W; HIP247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 36A Pulsed drain current: 108A Power dissipation: 278W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |