Продукція > STMICROELECTRONICS > SCTW40N120G2V
SCTW40N120G2V

SCTW40N120G2V STMICROELECTRONICS

3207676.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW40N120G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1199.78 грн
5+ 1151.85 грн
10+ 1103.92 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCTW40N120G2V STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - SCTW40N120G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 278W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SCTW40N120G2V за ціною від 877.09 грн до 1629.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SCTW40N120G2V SCTW40N120G2V Виробник : STMicroelectronics sctw40n120g2v-1916581.pdf MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ 36 A
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1505.58 грн
10+ 1307.49 грн
25+ 1105.57 грн
50+ 1044.15 грн
100+ 982.73 грн
250+ 952.68 грн
600+ 891.26 грн
SCTW40N120G2V SCTW40N120G2V Виробник : STMicroelectronics sctw40n120g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1513.19 грн
10+ 1383.53 грн
25+ 1349.48 грн
60+ 1139.24 грн
120+ 1014.1 грн
270+ 889.72 грн
SCTW40N120G2V SCTW40N120G2V Виробник : STMicroelectronics sctw40n120g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+1629.59 грн
10+ 1489.95 грн
25+ 1453.29 грн
60+ 1226.87 грн
120+ 1092.11 грн
270+ 958.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
SCTW40N120G2V Виробник : STMicroelectronics sctw40n120g2v.pdf Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233 pF @ 800 V
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1406.08 грн
30+ 1095.74 грн
120+ 1031.29 грн
510+ 877.09 грн
SCTW40N120G2V Виробник : STMicroelectronics sctw40n120g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SCTW40N120G2V SCTW40N120G2V Виробник : STMicroelectronics sctw40n120g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
товар відсутній
SCTW40N120G2V SCTW40N120G2V Виробник : STMicroelectronics sctw40n120g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
товар відсутній
SCTW40N120G2V Виробник : STMicroelectronics sctw40n120g2v.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SCTW40N120G2V Виробник : STMicroelectronics sctw40n120g2v.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній