Продукція > STMICROELECTRONICS > SCTW40N120G2V
SCTW40N120G2V

SCTW40N120G2V STMicroelectronics

sctw40n120g2v.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233 pF @ 800 V
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1108.12 грн
30+659.97 грн
120+572.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCTW40N120G2V STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SCTW40N120G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SCTW40N120G2V за ціною від 788.00 грн до 1641.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCTW40N120G2V SCTW40N120G2V STMICROELECTRONICS 3207676.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCTW40N120G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1641.77 грн
5+1436.85 грн
10+1190.14 грн
50+990.96 грн
100+844.48 грн
250+788.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2V SCTW40N120G2V STMicroelectronics sctw40n120g2v.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2V 3207676.pdf
SCTW40N120G2V
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW40N120G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1641.77 грн
5+1436.85 грн
10+1190.14 грн
50+990.96 грн
100+844.48 грн
250+788.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2V sctw40n120g2v.pdf
SCTW40N120G2V
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.