SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 33A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1428.47 грн |
| 30+ | 1140.12 грн |
| 120+ | 1068.86 грн |
| 510+ | 855.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics
Description: SICFET N-CH 1200V 33A HIP247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 18V, Power Dissipation (Max): 290W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: HiP247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SCTW40N120G2VAG за ціною від 879.48 грн до 1710.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCTW40N120G2VAG | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCTW40N120G2VAG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW40N120G2VAG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 290W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCTW40N120G2VAG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SCTW40N120G2VAG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCTW40N120G2VAG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SCTW40N120G2VAG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SCTW40N120G2VAG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SCTW40N120G2VAG | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 100A; 290W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 290W Case: HIP247™ On-state resistance: 0.195Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SCTW40N120G2VAG | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 100A; 290W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 290W Case: HIP247™ On-state resistance: 0.195Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Application: automotive industry |
товар відсутній |