Продукція > STMICROELECTRONICS > SCTW40N120G2VAG
SCTW40N120G2VAG

SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics

sctw40n120g2vag.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+818.53 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics

Description: SICFET N-CH 1200V 33A HIP247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 18V, Power Dissipation (Max): 290W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: HiP247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SCTW40N120G2VAG за ціною від 633.12 грн до 1519.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCTW40N120G2VAG SCTW40N120G2VAG Виробник : STMicroelectronics sctw40n120g2vag.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+877.00 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VAG SCTW40N120G2VAG Виробник : STMicroelectronics sctw40n120g2vag.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1207.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VAG SCTW40N120G2VAG Виробник : STMicroelectronics sctw40n120g2vag.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 33A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1212.69 грн
30+724.50 грн
120+634.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VAG SCTW40N120G2VAG Виробник : STMicroelectronics sctw40n120g2vag.pdf SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1311.46 грн
10+802.38 грн
100+646.04 грн
600+633.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VAG SCTW40N120G2VAG Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0008385536-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - SCTW40N120G2VAG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1402.55 грн
5+1340.31 грн
10+1278.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VAG SCTW40N120G2VAG Виробник : STMicroelectronics sctw40n120g2vag.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+1519.29 грн
10+1488.50 грн
50+1478.23 грн
600+1296.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VAG SCTW40N120G2VAG Виробник : STMicroelectronics sctw40n120g2vag.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VAG SCTW40N120G2VAG Виробник : STMicroelectronics sctw40n120g2vag.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VAG Виробник : STMicroelectronics sctw40n120g2vag.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VAG Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A2926CE6A0D2&compId=sctw40n120g2vag.pdf?ci_sign=1c0d7058e24acd23940d3ab5f870419423058dd0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 100A; 290W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 290W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.