Продукція > STMICROELECTRONICS > SCTW40N120G2VAG
SCTW40N120G2VAG

SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics

sctw40n120g2vag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
600+973.28 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 600 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SCTW40N120G2VAG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 290W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm.

Інші пропозиції SCTW40N120G2VAG за ціною від 803.78 грн до 1806.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCTW40N120G2VAG SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics sctw40n120g2vag.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+973.28 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VAG SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics sctw40n120g2vag.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1340.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VAG SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics sctw40n120g2vag.pdf SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
на замовлення 9 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1522.90 грн
10+803.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VAG SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics sctw40n120g2vag.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1806.52 грн
10+1769.91 грн
50+1757.70 грн
600+1541.91 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VAG SCTW40N120G2VAG STMICROELECTRONICS SGST-S-A0008385536-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - SCTW40N120G2VAG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 290W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VAG SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics sctw40n120g2vag.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VAG sctw40n120g2vag.pdf
SCTW40N120G2VAG
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
600+973.28 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VAG sctw40n120g2vag.pdf
SCTW40N120G2VAG
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1340.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VAG sctw40n120g2vag.pdf
SCTW40N120G2VAG
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
на замовлення 9 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1522.90 грн
10+803.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VAG sctw40n120g2vag.pdf
SCTW40N120G2VAG
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+1806.52 грн
10+1769.91 грн
50+1757.70 грн
600+1541.91 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VAG SGST-S-A0008385536-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SCTW40N120G2VAG
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW40N120G2VAG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 290W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VAG sctw40n120g2vag.pdf
SCTW40N120G2VAG
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.