SCTW60N120G2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 389W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1097.59 грн |
| 10+ | 754.35 грн |
| 100+ | 735.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCTW60N120G2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW60N120G2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 389W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SCTW60N120G2 за ціною від 696.96 грн до 1440.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCTW60N120G2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
на замовлення 449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
SCTW60N120G2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
на замовлення 449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SCTW60N120G2 | Виробник : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an HiP247 package |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SCTW60N120G2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW60N120G2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 389W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SCTW60N120G2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 |
товару немає в наявності |
|||||||||
| SCTW60N120G2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||
| SCTW60N120G2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 177A; 389W Case: HIP247™ Kind of package: tube Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -10...22V Gate charge: 94nC On-state resistance: 52mΩ Drain current: 60A Power dissipation: 389W Pulsed drain current: 177A Drain-source voltage: 1.2kV Technology: SiC Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |