Продукція > STMICROELECTRONICS > SCTW60N120G2
SCTW60N120G2

SCTW60N120G2 STMicroelectronics

en.DM00789088.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: DISCRETE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 389W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1362.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCTW60N120G2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SCTW60N120G2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 389W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm.

Інші пропозиції SCTW60N120G2 за ціною від 1401.15 грн до 1401.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCTW60N120G2 SCTW60N120G2 STMicroelectronics sctw60n120g2.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1401.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW60N120G2 SCTW60N120G2 STMicroelectronics sctw60n120g2.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1401.15 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW60N120G2 SCTW60N120G2 STMicroelectronics en.DM00789088.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an HiP247 package
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW60N120G2 SCTW60N120G2 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0013061336-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - SCTW60N120G2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 389W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW60N120G2 sctw60n120g2.pdf
SCTW60N120G2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1401.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW60N120G2 sctw60n120g2.pdf
SCTW60N120G2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+1401.15 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW60N120G2 en.DM00789088.pdf
SCTW60N120G2
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an HiP247 package
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW60N120G2 SGST-S-A0013061336-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SCTW60N120G2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW60N120G2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 389W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.