Продукція > STMICROELECTRONICS > SCTW70N120G2V
SCTW70N120G2V

SCTW70N120G2V STMicroelectronics

sctw70n120g2v.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HiP247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 547W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1852.03 грн
30+1348.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCTW70N120G2V STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SCTW70N120G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 91A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 547W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm.

Інші пропозиції SCTW70N120G2V за ціною від 1831.19 грн до 2407.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCTW70N120G2V SCTW70N120G2V STMICROELECTRONICS 3154058.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCTW70N120G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 547W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2407.61 грн
5+2287.07 грн
10+2129.56 грн
50+1831.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW70N120G2V SCTW70N120G2V STMicroelectronics sctw70n120g2v.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW70N120G2V 3154058.pdf
SCTW70N120G2V
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW70N120G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 547W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2407.61 грн
5+2287.07 грн
10+2129.56 грн
50+1831.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW70N120G2V sctw70n120g2v.pdf
SCTW70N120G2V
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.