SCTW70N120G2V STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 547W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 800 V
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1874.69 грн |
| 30+ | 1365.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCTW70N120G2V STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW70N120G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 91A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 547W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SCTW70N120G2V за ціною від 1501.01 грн до 2276.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCTW70N120G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
на замовлення 10800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SCTW70N120G2V | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW70N120G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 91A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 547W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SCTW70N120G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
на замовлення 10800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SCTW70N120G2V | Виробник : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package |
на замовлення 702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SCTW70N120G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| SCTW70N120G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 91A; Idm: 274A; 547W Gate-source voltage: -10...22V Gate charge: 150nC On-state resistance: 30mΩ Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 91A Technology: SiC Case: HIP247™ Pulsed drain current: 274A Power dissipation: 547W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |