Продукція > STMICROELECTRONICS > SCTW90N65G2V
SCTW90N65G2V

SCTW90N65G2V STMicroelectronics

sctw90n65g2v.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2007.67 грн
10+1995.44 грн
25+1955.92 грн
250+1877.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCTW90N65G2V STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SCTW90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 119A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 565W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SCTW90N65G2V за ціною від 1877.90 грн до 2007.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCTW90N65G2V SCTW90N65G2V STMicroelectronics sctw90n65g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+2007.67 грн
10+1995.44 грн
25+1955.92 грн
250+1877.90 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW90N65G2V SCTW90N65G2V STMICROELECTRONICS sctw90n65g2v.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCTW90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 565W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW90N65G2V SCTW90N65G2V STMicroelectronics sctw90n65g2v.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW90N65G2V sctw90n65g2v.pdf
SCTW90N65G2V
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+2007.67 грн
10+1995.44 грн
25+1955.92 грн
250+1877.90 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW90N65G2V sctw90n65g2v.pdf
SCTW90N65G2V
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTW90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 565W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW90N65G2V sctw90n65g2v.pdf
SCTW90N65G2V
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.