SCTWA10N120 STMicroelectronics
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 407.57 грн |
| 32+ | 381.65 грн |
| 50+ | 371.28 грн |
| 100+ | 352.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCTWA10N120 STMicroelectronics
Description: IC POWER MOSFET 1200V HIP247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 20V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA (Typ), Supplier Device Package: HiP247™ Long Leads, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції SCTWA10N120 за ціною від 686.39 грн до 1031.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCTWA10N120 | Виробник : STMicroelectronics |
 MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 550 mOhm |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SCTWA10N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 12A 3-Pin HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| SCTWA10N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 12A 3-Pin HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| SCTWA10N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 12A 3-Pin HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| SCTWA10N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 110W; HIP247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 10A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 110W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 21nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
SCTWA10N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IC POWER MOSFET 1200V HIP247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 20V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA (Typ) Supplier Device Package: HiP247™ Long Leads Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 1000 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| SCTWA10N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 110W; HIP247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 10A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 110W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 21nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |