SCTWA10N120 STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 489.29 грн |
| 32+ | 458.17 грн |
| 50+ | 445.72 грн |
| 100+ | 422.60 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
30 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCTWA10N120 STMicroelectronics
Description: IC POWER MOSFET 1200V HIP247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 20V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA (Typ), Supplier Device Package: HiP247™ Long Leads, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції SCTWA10N120 за ціною від 701.95 грн до 1055.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCTWA10N120 | STMicroelectronics |
 MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 550 mOhm |
на замовлення 7 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| SCTWA10N120 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 550 mOhm
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 550 mOhm
на замовлення 7 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1055.06 грн |
| 10+ | 956.06 грн |
| 25+ | 796.75 грн |
| 100+ | 701.95 грн |