SCTWA20N120 STMicroelectronics
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 730.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCTWA20N120 STMicroelectronics
Description: IC POWER MOSFET 1200V HIP247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 239mOhm @ 10A, 20V, Power Dissipation (Max): 175W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA (Typ), Supplier Device Package: HiP247™ Long Leads, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V.
Інші пропозиції SCTWA20N120 за ціною від 409.00 грн до 1191.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SCTWA20N120 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube |
на замовлення 580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCTWA20N120 | Виробник : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm |
на замовлення 585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCTWA20N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 16A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 175W Case: HIP247™ On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SCTWA20N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 16A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 175W Case: HIP247™ On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCTWA20N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SCTWA20N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
SCTWA20N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IC POWER MOSFET 1200V HIP247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 239mOhm @ 10A, 20V Power Dissipation (Max): 175W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA (Typ) Supplier Device Package: HiP247™ Long Leads Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |