Продукція > STMICROELECTRONICS > SCTWA20N120
SCTWA20N120

SCTWA20N120 STMicroelectronics

sctwa20n120.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+674.74 грн
10+621.24 грн
30+599.47 грн
120+562.29 грн
270+513.51 грн
510+483.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCTWA20N120 STMicroelectronics

Description: IC POWER MOSFET 1200V HIP247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 239mOhm @ 10A, 20V, Power Dissipation (Max): 175W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA (Typ), Supplier Device Package: HiP247™ Long Leads, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V.

Інші пропозиції SCTWA20N120 за ціною від 560.71 грн до 1376.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCTWA20N120 SCTWA20N120 Виробник : STMicroelectronics sctwa20n120.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+726.64 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA20N120 SCTWA20N120 Виробник : STMicroelectronics sctwa20n120-1849915.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1015.49 грн
10+883.66 грн
25+711.89 грн
50+706.02 грн
100+658.32 грн
250+620.89 грн
600+560.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA20N120 SCTWA20N120 Виробник : STMicroelectronics sctwa20n120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 175W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1146.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA20N120 SCTWA20N120 Виробник : STMicroelectronics sctwa20n120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 175W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1376.22 грн
2+1003.16 грн
4+913.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA20N120 SCTWA20N120 Виробник : STMicroelectronics sctwa20n120.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA20N120 Виробник : STMicroelectronics sctwa20n120.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA20N120 SCTWA20N120 Виробник : STMicroelectronics sctwa20n120.pdf Description: IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 239mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: HiP247™ Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.