SCTWA20N120 STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 842.49 грн |
| 10+ | 775.69 грн |
| 30+ | 748.50 грн |
| 120+ | 702.08 грн |
| 270+ | 641.17 грн |
| 510+ | 603.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCTWA20N120 STMicroelectronics
Description: IC POWER MOSFET 1200V HIP247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 239mOhm @ 10A, 20V, Power Dissipation (Max): 175W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA (Typ), Supplier Device Package: HiP247™ Long Leads, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V.
Інші пропозиції SCTWA20N120 за ціною від 842.49 грн до 842.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SCTWA20N120 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube |
на замовлення 580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
SCTWA20N120 | STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an HiP247 long leads |
на замовлення 585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SCTWA20N120 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 842.49 грн |
| SCTWA20N120 |
|
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an HiP247 long leads
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an HiP247 long leads
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)