Продукція > STMICROELECTRONICS > SCTWA30N120
SCTWA30N120

SCTWA30N120 STMicroelectronics

sctwa30n120.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1161.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCTWA30N120 STMicroelectronics

Description: IC POWER MOSFET 1200V HIP247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V, Power Dissipation (Max): 270W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA (Typ), Supplier Device Package: HiP247™ Long Leads, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V.

Інші пропозиції SCTWA30N120 за ціною від 1125.82 грн до 2337.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCTWA30N120 SCTWA30N120 Виробник : STMicroelectronics sctwa30n120.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1251.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA30N120 SCTWA30N120 Виробник : STMicroelectronics sctwa30n120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1947.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA30N120 SCTWA30N120 Виробник : STMicroelectronics sctwa30n120-1850054.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2033.54 грн
10+1583.34 грн
25+1248.38 грн
50+1247.65 грн
100+1181.59 грн
250+1136.09 грн
600+1125.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA30N120 SCTWA30N120 Виробник : STMicroelectronics sctwa30n120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2337.50 грн
2+2132.08 грн
3+2052.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA30N120 SCTWA30N120 Виробник : STMicroelectronics sctwa30n120.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A 3-Pin HIP-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA30N120 Виробник : STMicroelectronics sctwa30n120.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A 3-Pin HIP-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA30N120 SCTWA30N120 Виробник : STMicroelectronics sctwa30n120.pdf Description: IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: HiP247™ Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.