SCTWA30N120 STMicroelectronics
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 1305.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCTWA30N120 STMicroelectronics
Description: IC POWER MOSFET 1200V HIP247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V, Power Dissipation (Max): 270W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA (Typ), Supplier Device Package: HiP247™ Long Leads, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V.
Інші пропозиції SCTWA30N120 за ціною від 1169.45 грн до 2340.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SCTWA30N120 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A 3-Pin HIP-247 Tube |
на замовлення 596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SCTWA30N120 | Виробник : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm |
на замовлення 557 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| SCTWA30N120 | Виробник : STMicroelectronics |
SCTWA30N120 THT N channel transistors |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
SCTWA30N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A 3-Pin HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| SCTWA30N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A 3-Pin HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
SCTWA30N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IC POWER MOSFET 1200V HIP247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA (Typ) Supplier Device Package: HiP247™ Long Leads Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |