SCTWA35N65G2V-4 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTWA35N65G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 613.79 грн |
| 5+ | 595.88 грн |
| 10+ | 577.97 грн |
| 50+ | 520.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCTWA35N65G2V-4 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA35N65G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SCTWA35N65G2V-4 за ціною від 598.41 грн до 870.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCTWA35N65G2V-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DISCRETE Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Vgs (Max): +18V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SCTWA35N65G2V-4 | Виробник : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 45 A in an HiP247-4 package |
на замовлення 100 шт: термін постачання 245-254 дні (днів) |
|
||||||||
| SCTWA35N65G2V-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
на замовлення 595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| SCTWA35N65G2V-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
на замовлення 595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| SCTWA35N65G2V-4 | Виробник : STMicroelectronics |
|
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| SCTWA35N65G2V-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||
| SCTWA35N65G2V-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||
| SCTWA35N65G2V-4 | Виробник : STMicroelectronics |
SCTWA35N65G2V-4 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |