SCTWA35N65G2V-4 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 962.44 грн |
| 10+ | 650.84 грн |
| 100+ | 495.33 грн |
| 600+ | 446.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCTWA35N65G2V-4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA35N65G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 240W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm.
Інші пропозиції SCTWA35N65G2V-4 за ціною від 599.20 грн до 994.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCTWA35N65G2V-4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA35N65G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 240W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 200°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SCTWA35N65G2V-4 | STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 45 A in an HiP247-4 package |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| SCTWA35N65G2V-4 | STMicroelectronics |
|
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SCTWA35N65G2V-4 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA35N65G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 240W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA35N65G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 240W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 994.87 грн |
| 5+ | 848.61 грн |
| 10+ | 701.55 грн |
| 50+ | 599.20 грн |
| SCTWA35N65G2V-4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 45 A in an HiP247-4 package
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 45 A in an HiP247-4 package
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SCTWA35N65G2V-4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)