Продукція > STMICROELECTRONICS > SCTWA35N65G2V-4
SCTWA35N65G2V-4

SCTWA35N65G2V-4 STMICROELECTRONICS

3512216.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA35N65G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1256.34 грн
5+ 1172.14 грн
10+ 1084.95 грн
50+ 941.72 грн
100+ 808.61 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCTWA35N65G2V-4 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA35N65G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 240W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції SCTWA35N65G2V-4 за ціною від 732.66 грн до 1183.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SCTWA35N65G2V-4 Виробник : STMicroelectronics sctwa35n65g2v-4.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1171.89 грн
10+ 1099.1 грн
25+ 1063.06 грн
60+ 927.8 грн
120+ 824.97 грн
270+ 746.25 грн
510+ 732.66 грн
SCTWA35N65G2V-4 Виробник : STMicroelectronics sctwa35n65g2v-4.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+1183.64 грн
25+ 1144.84 грн
60+ 999.17 грн
120+ 888.43 грн
270+ 803.66 грн
510+ 789.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
SCTWA35N65G2V-4 Виробник : STMicroelectronics
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SCTWA35N65G2V-4 Виробник : STMicroelectronics sctwa35n65g2v-4.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
SCTWA35N65G2V-4 Виробник : STMicroelectronics sctwa35n65g2v-4.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
SCTWA35N65G2V-4 Виробник : STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4 THT N channel transistors
товар відсутній
SCTWA35N65G2V-4 Виробник : STMicroelectronics Description: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
товар відсутній
SCTWA35N65G2V-4 SCTWA35N65G2V-4 Виробник : STMicroelectronics sctwa35n65g2v_4-2449993.pdf MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 45 A in an HiP247-4 package
товар відсутній