Продукція > STMICROELECTRONICS > SCTWA40N120G2V-4

SCTWA40N120G2V-4 STMicroelectronics


Виробник: STMicroelectronics
Description: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233 pF @ 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCTWA40N120G2V-4 STMicroelectronics

Description: DISCRETE, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 18V, Power Dissipation (Max): 277W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +18V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233 pF @ 800 V.

Інші пропозиції SCTWA40N120G2V-4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCTWA40N120G2V-4 SCTWA40N120G2V-4 STMicroelectronics SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247-4 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA40N120G2V-4 SCTWA40N120G2V-4 STMICROELECTRONICS 3199727.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA40N120G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 45 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, HiP247LL
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 45
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: HiP247LL
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: TrenchFET Gen II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
MOSFET-Konfiguration: -
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07
Rds(on)-Prüfspannung: 18
Betriebstemperatur, max.: 200
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA40N120G2V-4 SCTWA40N120G2V-4 STMicroelectronics sctwa40n120g2v-4.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA40N120G2V-4
SCTWA40N120G2V-4
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247-4 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA40N120G2V-4 3199727.pdf
SCTWA40N120G2V-4
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA40N120G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 45 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, HiP247LL
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 45
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: HiP247LL
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: TrenchFET Gen II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
MOSFET-Konfiguration: -
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07
Rds(on)-Prüfspannung: 18
Betriebstemperatur, max.: 200
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA40N120G2V-4 sctwa40n120g2v-4.pdf
SCTWA40N120G2V-4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.