Продукція > STMICROELECTRONICS > SCTWA40N12G24AG
SCTWA40N12G24AG

SCTWA40N12G24AG STMicroelectronics

sctwa40n12g24ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1226.28 грн
10+941.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCTWA40N12G24AG STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA40N12G24AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.105 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SCTWA40N12G24AG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCTWA40N12G24AG SCTWA40N12G24AG STMicroelectronics sctwa40n12g24ag.pdf SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA40N12G24AG SCTWA40N12G24AG STMICROELECTRONICS 4319721.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA40N12G24AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.105 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA40N12G24AG sctwa40n12g24ag.pdf
SCTWA40N12G24AG
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA40N12G24AG 4319721.pdf
SCTWA40N12G24AG
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA40N12G24AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.105 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.