SCTWA50N120 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 318W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 400 V
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2034.06 грн |
| 10+ | 1580.54 грн |
| 25+ | 1486.04 грн |
| 100+ | 1297.12 грн |
| 250+ | 1250.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCTWA50N120 STMicroelectronics
Description: SICFET N-CH 1200V 65A HIP247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 40A, 20V, Power Dissipation (Max): 318W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: HiP247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 400 V.
Інші пропозиції SCTWA50N120
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SCTWA50N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
SCTWA50N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
|
| SCTWA50N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
||
 |
SCTWA50N120 | Виробник : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm |
товару немає в наявності |