SCTWA60N120G2-4 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 388W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1180.84 грн |
| 10+ | 903.85 грн |
| 30+ | 835.74 грн |
| 120+ | 727.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCTWA60N120G2-4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA60N120G2-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 389W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SCTWA60N120G2-4 за ціною від 683.45 грн до 2924.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCTWA60N120G2-4 | Виробник : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an HiP247-4 package |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCTWA60N120G2-4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA60N120G2-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 389W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SCTWA60N120G2-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| SCTWA60N120G2-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 177A; 389W Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 60A On-state resistance: 52mΩ Kind of package: tube Technology: SiC Case: HIP247-4 Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -10...22V Gate charge: 94nC Power dissipation: 389W Pulsed drain current: 177A Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |