Продукція > STMICROELECTRONICS > SCTWA60N120G2-4
SCTWA60N120G2-4

SCTWA60N120G2-4 STMicroelectronics

sctwa60n120g2-4.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 388W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1174.67 грн
10+899.13 грн
30+831.38 грн
120+723.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCTWA60N120G2-4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA60N120G2-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 389W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SCTWA60N120G2-4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCTWA60N120G2-4 SCTWA60N120G2-4 STMicroelectronics sctwa60n120g2-4.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an HiP247-4 package
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA60N120G2-4 SCTWA60N120G2-4 STMICROELECTRONICS 3277138.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA60N120G2-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 389W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA60N120G2-4 sctwa60n120g2-4.pdf
SCTWA60N120G2-4
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an HiP247-4 package
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA60N120G2-4 3277138.pdf
SCTWA60N120G2-4
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA60N120G2-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 389W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.