Продукція > STMICROELECTRONICS > SCTWA60N120G2-4
SCTWA60N120G2-4

SCTWA60N120G2-4 STMicroelectronics

sctwa60n120g2-4.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 388W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1163.91 грн
10+890.90 грн
30+823.76 грн
120+716.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCTWA60N120G2-4 STMicroelectronics

Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 18V, Power Dissipation (Max): 388W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V.

Інші пропозиції SCTWA60N120G2-4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCTWA60N120G2-4 SCTWA60N120G2-4 STMicroelectronics sctwa60n120g2-4.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an HiP247-4 package
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA60N120G2-4 sctwa60n120g2-4.pdf
SCTWA60N120G2-4
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an HiP247-4 package
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.