SCTWA70N120G2V-4 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTWA70N120G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 547W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2747.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCTWA70N120G2V-4 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA70N120G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 91A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 547W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SCTWA70N120G2V-4 за ціною від 1839.49 грн до 3307.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCTWA70N120G2V-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
на замовлення 1795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SCTWA70N120G2V-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
на замовлення 4054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SCTWA70N120G2V-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
на замовлення 1795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SCTWA70N120G2V-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
на замовлення 4054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SCTWA70N120G2V-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
на замовлення 4054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SCTWA70N120G2V-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SCTWA70N120G2V-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
SCTWA70N120G2V-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DISCRETE Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 18V Power Dissipation (Max): 547W Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 800 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SCTWA70N120G2V-4 | Виробник : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ 91 A |
товару немає в наявності |