SCTWA70N120G2V-4 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 547W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 800 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2179.63 грн |
| 30+ | 1375.64 грн |
| 120+ | 1346.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCTWA70N120G2V-4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA70N120G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 91A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 547W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SCTWA70N120G2V-4 за ціною від 1966.81 грн до 3536.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SCTWA70N120G2V-4 | STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
SCTWA70N120G2V-4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA70N120G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, HiP247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 91A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 547W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCTWA70N120G2V-4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
на замовлення 1795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SCTWA70N120G2V-4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
на замовлення 1795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SCTWA70N120G2V-4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
на замовлення 4054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SCTWA70N120G2V-4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
на замовлення 4054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SCTWA70N120G2V-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SCTWA70N120G2V-4 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA70N120G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 547W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA70N120G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 547W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SCTWA70N120G2V-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 2294.61 грн |
| SCTWA70N120G2V-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3063.24 грн |
| 5+ | 3032.20 грн |
| 10+ | 2816.76 грн |
| 25+ | 2511.13 грн |
| 50+ | 2231.04 грн |
| 100+ | 2035.35 грн |
| 250+ | 1966.81 грн |
| SCTWA70N120G2V-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 4054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3536.47 грн |
| 5+ | 3420.75 грн |
| 10+ | 3304.09 грн |
| 25+ | 3114.42 грн |
| 50+ | 2819.88 грн |
| 100+ | 2704.67 грн |
| SCTWA70N120G2V-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 4054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 3536.47 грн |
| 5+ | 3420.75 грн |
| 10+ | 3304.09 грн |
| 25+ | 3114.42 грн |
| 50+ | 2819.88 грн |
| 100+ | 2704.67 грн |




