SCTWA70N120G2V-4 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2180.05 грн |
| 10+ | 1613.68 грн |
| 100+ | 1306.36 грн |
| 600+ | 1304.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCTWA70N120G2V-4 STMicroelectronics
Description: DISCRETE, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 18V, Power Dissipation (Max): 547W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 800 V.
Інші пропозиції SCTWA70N120G2V-4 за ціною від 1349.45 грн до 2184.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCTWA70N120G2V-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DISCRETE Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 18V Power Dissipation (Max): 547W Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 800 V |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|