Продукція > STMICROELECTRONICS > SCTWA90N65G2V-4
SCTWA90N65G2V-4

SCTWA90N65G2V-4 STMicroelectronics

sctwa90n65g2v-4.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCTWA90N65G2V-4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA90N65G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 119A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 565W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 565W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SCTWA90N65G2V-4 за ціною від 1966.27 грн до 1966.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCTWA90N65G2V-4 SCTWA90N65G2V-4 STMICROELECTRONICS 3212218.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA90N65G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 565W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 565W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA90N65G2V-4 STMicroelectronics sctwa90n65g2v-4.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+1966.27 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA90N65G2V-4 STMicroelectronics sctwa90n65g2v-4.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+1966.27 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA90N65G2V-4 3212218.pdf
SCTWA90N65G2V-4
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA90N65G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 565W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 565W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA90N65G2V-4 sctwa90n65g2v-4.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
600+1966.27 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA90N65G2V-4 sctwa90n65g2v-4.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
600+1966.27 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.