SCTWA90N65G2V STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTWA90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, HiP247LL
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 565W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 565W
Bauform - Transistor: HiP247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2296.42 грн |
| 5+ | 2207.69 грн |
| 10+ | 2118.14 грн |
| 50+ | 1823.23 грн |
| 100+ | 1550.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCTWA90N65G2V STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, HiP247LL, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 119A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 565W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 565W, Bauform - Transistor: HiP247LL, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SCTWA90N65G2V за ціною від 1496.32 грн до 2517.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCTWA90N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 119A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 50A, 18V Power Dissipation (Max): 565W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 Long Leads Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 400 V |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCTWA90N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm |
на замовлення 142 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SCTWA90N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
|
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
SCTWA90N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SCTWA90N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SCTWA90N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
SCTWA90N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SCTWA90N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
SCTWA90N65G2V THT N channel transistors |
товару немає в наявності |