Продукція > STMICROELECTRONICS > SCTWA90N65G2V
SCTWA90N65G2V

SCTWA90N65G2V STMICROELECTRONICS

3199731.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, HiP247LL
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 565W
Bauform - Transistor: HiP247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2524.64 грн
5+2523.78 грн
10+2522.93 грн
50+2033.22 грн
100+1712.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCTWA90N65G2V STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, HiP247LL, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 119A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 565W, Bauform - Transistor: HiP247LL, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SCTWA90N65G2V за ціною від 1570.96 грн до 2643.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCTWA90N65G2V SCTWA90N65G2V Виробник : STMicroelectronics sctwa90n65g2v.pdf Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 565W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 400 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2591.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA90N65G2V SCTWA90N65G2V Виробник : STMicroelectronics sctwa90n65g2v-1903120.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2643.40 грн
10+2404.13 грн
25+1813.23 грн
50+1811.70 грн
100+1570.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA90N65G2V Виробник : STMicroelectronics sctwa90n65g2v.pdf
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA90N65G2V SCTWA90N65G2V Виробник : STMicroelectronics en.dm00520970.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA90N65G2V SCTWA90N65G2V Виробник : STMicroelectronics en.dm00520970.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA90N65G2V Виробник : STMicroelectronics en.dm00520970.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA90N65G2V SCTWA90N65G2V Виробник : STMicroelectronics en.dm00520970.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.