SCTWA90N65G2V STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 565W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 400 V
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2063.02 грн |
| 30+ | 1286.83 грн |
| 120+ | 1231.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCTWA90N65G2V STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, HiP247LL, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 119A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 565W, Bauform - Transistor: HiP247LL, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SCTWA90N65G2V за ціною від 1790.63 грн до 2639.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCTWA90N65G2V | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, HiP247LL tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 119A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 565W Bauform - Transistor: HiP247LL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SCTWA90N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
|
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
SCTWA90N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SCTWA90N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SCTWA90N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
SCTWA90N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
SCTWA90N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SCTWA90N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 119A; Idm: 220A; 565W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 119A Pulsed drain current: 220A Power dissipation: 565W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Gate charge: 157nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |