SCZ4011KTAC23 ROHM Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5516.76 грн |
| 10+ | 4493.40 грн |
| 100+ | 3518.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCZ4011KTAC23 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - SCZ4011KTAC23 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 106 A, 1.2 kV, 0.015 ohm, DOT-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 106A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 361W, Bauform - Transistor: DOT-247, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SCZ4011KTAC23 за ціною від 5080.75 грн до 5735.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCZ4011KTAC23 | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - SCZ4011KTAC23 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 106 A, 1.2 kV, 0.015 ohm, DOT-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 106A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 361W Bauform - Transistor: DOT-247 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|