SD2932W STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC TRANS RF HF/VHF/UHF
Packaging: Tube
Package / Case: M244
Current Rating (Amps): 40A
Frequency: 175MHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 300W
Gain: 16dB
Technology: MOSFET
Supplier Device Package: M244
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 500 mA
Description: IC TRANS RF HF/VHF/UHF
Packaging: Tube
Package / Case: M244
Current Rating (Amps): 40A
Frequency: 175MHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 300W
Gain: 16dB
Technology: MOSFET
Supplier Device Package: M244
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 500 mA
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 11356.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SD2932W STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SD2932W - HF-FET-Transistor, 125 V, 40 A, 500 W, 175 MHz, 230 MHz, M244, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 125V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500W, Betriebsfrequenz, max.: 230MHz, Betriebsfrequenz, min.: 175MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: M244, Bauform - HF-Transistor: M244, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SD2932W за ціною від 11461.41 грн до 13594.19 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SD2932W | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SD2932W - HF-FET-Transistor, 125 V, 40 A, 500 W, 175 MHz, 230 MHz, M244 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 125V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500W Betriebsfrequenz, max.: 230MHz Betriebsfrequenz, min.: 175MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: M244 Bauform - HF-Transistor: M244 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
SD2932W | Виробник : STMicroelectronics | RF MOSFET Transistors N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
SD2932W |
на замовлення 2200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
SD2932W Код товару: 148878 |
Транзистори > ВЧ |
товар відсутній
|
|||||||||
SD2932W | Виробник : STMicroelectronics | Trans RF MOSFET N-CH 125V 40A 5-Pin Case M-244 Tube |
товар відсутній |
||||||||
SD2932W | Виробник : STMicroelectronics | Trans RF MOSFET N-CH 125V 40A 5-Pin Case M-244 Tube |
товар відсутній |
||||||||
SD2932W | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 125V; 40A; 500W; M244; Pout: 300W Case: M244 Electrical mounting: FASTON connectors; soldering; THT Mechanical mounting: screw Frequency: 175MHz Drain-source voltage: 125V Drain current: 40A Type of transistor: N-MOSFET Open-loop gain: 16dB Output power: 300W Power dissipation: 500W Efficiency: 60% Polarisation: unipolar Kind of package: tube Kind of transistor: RF Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±40V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
SD2932W | Виробник : STMicroelectronics | Trans RF MOSFET N-CH 125V 40A 5-Pin Case M-244 Tube |
товар відсутній |
||||||||
SD2932W | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 125V; 40A; 500W; M244; Pout: 300W Case: M244 Electrical mounting: FASTON connectors; soldering; THT Mechanical mounting: screw Frequency: 175MHz Drain-source voltage: 125V Drain current: 40A Type of transistor: N-MOSFET Open-loop gain: 16dB Output power: 300W Power dissipation: 500W Efficiency: 60% Polarisation: unipolar Kind of package: tube Kind of transistor: RF Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±40V |
товар відсутній |