Технічний опис SD56120M
Description: RF MOSFET LDMOS 32V M252, Packaging: Tube, Package / Case: M252, Current Rating (Amps): 14A, Frequency: 860MHz, Power - Output: 120W, Gain: 16dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: M252, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 32 V, Current - Test: 400 mA.
Інші пропозиції SD56120M
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SD56120M | STM |
N-ch 120Вт на 860МГц и 13В при KU=13дБ, корп. M252 (SMD) Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
|
SD56120M | STMicroelectronics |
Description: RF MOSFET LDMOS 32V M252Packaging: Tube Package / Case: M252 Current Rating (Amps): 14A Frequency: 860MHz Power - Output: 120W Gain: 16dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: M252 Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 32 V Current - Test: 400 mA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. |
| SD56120M |
![]() |
Виробник: STM
N-ch 120Вт на 860МГц и 13В при KU=13дБ, корп. M252 (SMD) Транзистори
N-ch 120Вт на 860МГц и 13В при KU=13дБ, корп. M252 (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SD56120M |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: RF MOSFET LDMOS 32V M252
Packaging: Tube
Package / Case: M252
Current Rating (Amps): 14A
Frequency: 860MHz
Power - Output: 120W
Gain: 16dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: M252
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 32 V
Current - Test: 400 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 32V M252
Packaging: Tube
Package / Case: M252
Current Rating (Amps): 14A
Frequency: 860MHz
Power - Output: 120W
Gain: 16dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: M252
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 32 V
Current - Test: 400 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику
од. на суму грн.


