Технічний опис SD56120M
Description: RF MOSFET LDMOS 32V M252, Current - Test: 400 mA, Voltage - Test: 32 V, Voltage - Rated: 65 V, Supplier Device Package: M252, Technology: LDMOS, Gain: 16dB, Power - Output: 120W, Frequency: 860MHz, Current Rating (Amps): 14A, Package / Case: M252, Packaging: Tube.
Інші пропозиції SD56120M
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SD56120M | Виробник : STM |
N-ch 120Вт на 860МГц и 13В при KU=13дБ, корп. M252 (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
|
|
SD56120M | Виробник : STMicroelectronics |
Description: RF MOSFET LDMOS 32V M252Current - Test: 400 mA Voltage - Test: 32 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: M252 Technology: LDMOS Gain: 16dB Power - Output: 120W Frequency: 860MHz Current Rating (Amps): 14A Package / Case: M252 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
