SD56120M
Виробник:
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SD56120M
Description: RF MOSFET LDMOS 32V M252, Current - Test: 400 mA, Voltage - Test: 32 V, Voltage - Rated: 65 V, Supplier Device Package: M252, Technology: LDMOS, Gain: 16dB, Power - Output: 120W, Frequency: 860MHz, Current Rating (Amps): 14A, Package / Case: M252, Packaging: Tube.
Інші пропозиції SD56120M
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SD56120M | STM |
N-ch 120Вт на 860МГц и 13В при KU=13дБ, корп. M252 (SMD) Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
SD56120M | STMicroelectronics |
Description: RF MOSFET LDMOS 32V M252 Current - Test: 400 mA Voltage - Test: 32 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: M252 Technology: LDMOS Gain: 16dB Power - Output: 120W Frequency: 860MHz Current Rating (Amps): 14A Package / Case: M252 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. |
| SD56120M |
|
Виробник: STM
N-ch 120Вт на 860МГц и 13В при KU=13дБ, корп. M252 (SMD) Транзистори
N-ch 120Вт на 860МГц и 13В при KU=13дБ, корп. M252 (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SD56120M |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: RF MOSFET LDMOS 32V M252
Current - Test: 400 mA
Voltage - Test: 32 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: M252
Technology: LDMOS
Gain: 16dB
Power - Output: 120W
Frequency: 860MHz
Current Rating (Amps): 14A
Package / Case: M252
Packaging: Tube
Description: RF MOSFET LDMOS 32V M252
Current - Test: 400 mA
Voltage - Test: 32 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: M252
Technology: LDMOS
Gain: 16dB
Power - Output: 120W
Frequency: 860MHz
Current Rating (Amps): 14A
Package / Case: M252
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику
од. на суму грн.