Технічний опис SDD04S60
Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-31, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V.
Інші пропозиції SDD04S60
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SDD04S60 | Infineon |
Діоди та діодні збірки |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
SDD04S60 | Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-31Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SDD04S60 | Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky Diode 600V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SDD04S60 |
![]() |
Виробник: Infineon
Діоди та діодні збірки
Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SDD04S60 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SDD04S60 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky Diode 600V
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky Diode 600V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



