Продукція > SANAN SEMICONDUCTOR > SDS065J002D3-ISARH
SDS065J002D3-ISARH

SDS065J002D3-ISARH Sanan Semiconductor

SDS065J002D3_ISARH.pdf
Виробник: Sanan Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 2A, TO252-2L, Industrial Grade
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.42 грн
10+61.48 грн
100+39.62 грн
500+31.24 грн
1000+28.44 грн
2500+25.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SDS065J002D3-ISARH Sanan Semiconductor

Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO2522L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 113pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 9A, Supplier Device Package: TO-252-2L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V.

Інші пропозиції SDS065J002D3-ISARH за ціною від 30.91 грн до 113.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SDS065J002D3-ISARH SDS065J002D3-ISARH Виробник : Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J002D3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 113pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.21 грн
10+68.89 грн
100+45.96 грн
500+33.89 грн
1000+30.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J002D3-ISARH SDS065J002D3-ISARH Виробник : Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J002D3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO2522L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 113pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.