SDS065J004C3-ISATH Sanan Power Semiconductor
Виробник: Sanan Power SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 14A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 213pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 650 V
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 128.21 грн |
| 50+ | 52.75 грн |
| 100+ | 49.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SDS065J004C3-ISATH Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 14A TO220L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 213pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 14A, Supplier Device Package: TO-220-2L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 650 V.
Інші пропозиції SDS065J004C3-ISATH за ціною від 43.18 грн до 138.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SDS065J004C3-ISATH | Виробник : Sanan Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 4A, TO220-2L, Industrial Grade |
на замовлення 298 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|