SDS065J008C3-ISATH Sanan Semiconductor
на замовлення 200 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 211.57 грн |
10+ | 174.17 грн |
100+ | 120.23 грн |
500+ | 101.63 грн |
1000+ | 85.69 грн |
2000+ | 81.7 грн |
5000+ | 78.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SDS065J008C3-ISATH Sanan Semiconductor
Description: DIODE 650V-8A TO220-2L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 25A, Supplier Device Package: TO-220-2L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V.
Інші пропозиції SDS065J008C3-ISATH
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SDS065J008C3-ISATH | Виробник : Luminus Devices Inc. |
Description: DIODE 650V-8A TO220-2L Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 25A Supplier Device Package: TO-220-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V |
товар відсутній |