SDS065J008C3-ISATH Sanan Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 191.59 грн |
| 10+ | 101.26 грн |
| 100+ | 81.06 грн |
| 500+ | 69.11 грн |
| 1000+ | 65.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SDS065J008C3-ISATH Sanan Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 25A TO220L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 25A, Supplier Device Package: TO-220-2L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V.
Інші пропозиції SDS065J008C3-ISATH за ціною від 104.23 грн до 241.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SDS065J008C3-ISATH | Виробник : Sanan Power Semiconductor |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 25A TO220LPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 25A Supplier Device Package: TO-220-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|