SDS065J008D3-ISARH Sanan Power Semiconductor
Виробник: Sanan Power SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A TO2522L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 73.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SDS065J008D3-ISARH Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO2522L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-252-2L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V.
Інші пропозиції SDS065J008D3-ISARH за ціною від 69.73 грн до 207.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SDS065J008D3-ISARH | Виробник : Sanan Power Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO2522L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-252-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SDS065J008D3-ISARH | Виробник : Sanan Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 8A, TO252-2L, Industrial Grade |
товару немає в наявності |