Продукція > SANAN POWER SEMICONDUCTOR > SDS065J010D3-ISARH

SDS065J010D3-ISARH Sanan Power Semiconductor

Name: SDS065J010D3-ISARH
Brand: Sanan Power Semiconductor
SKU: 35019600-3
Price: 480.16 UAH
Availability: InStock

Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 29A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	240.08 грн
10+	150.98 грн
100+	105.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SDS065J010D3-ISARH Sanan Power Semiconductor

Description: DIODE SIL CARB 650V 29A TO2522L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 29A, Supplier Device Package: TO-252-2L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V.

Інші пропозиції SDS065J010D3-ISARH

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	SDS065J010D3-ISARH	Виробник : Sanan Power Semiconductor	Description: DIODE SIL CARB 650V 29A TO2522L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 29A Supplier Device Package: TO-252-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	SDS065J010D3-ISARH	Виробник : Sanan Semiconductor	SiC Schottky Diodes 650V 10A, TO252-2L, Industrial Grade	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.