SDS065J010E3-ISARH Sanan Power Semiconductor
Виробник: Sanan Power SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 30A TO2632L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 249.88 грн |
| 10+ | 157.51 грн |
| 100+ | 109.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SDS065J010E3-ISARH Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO2632L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: TO-263-2L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V.
Інші пропозиції SDS065J010E3-ISARH
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
SDS065J010E3-ISARH | Виробник : Sanan Power Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO2632L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-263-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |
|
 |
SDS065J010E3-ISARH | Виробник : Sanan Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 10A, TO263-2L, Industrial Grade |
товару немає в наявності |