SDS065J016G3-ISATH Sanan Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 348.13 грн |
| 10+ | 193.68 грн |
| 120+ | 160.73 грн |
| 510+ | 130.68 грн |
| 1020+ | 125.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SDS065J016G3-ISATH Sanan Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 650V 25A TO247-3L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A, Supplier Device Package: TO-247-3L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V.
Інші пропозиції SDS065J016G3-ISATH за ціною від 209.96 грн до 389.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SDS065J016G3-ISATH | Виробник : Sanan Power Semiconductor |
 Description: DIODE ARR SIC 650V 25A TO247-3LPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A Supplier Device Package: TO-247-3L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|