SDS065J016G3-ISATH Sanan Power Semiconductor
Виробник: Sanan Power SemiconductorDescription: DIODE ARR SIC 650V 25A TO247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247-3L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 345.42 грн |
| 30+ | 197.30 грн |
| 120+ | 181.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SDS065J016G3-ISATH Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 650V 25A TO247-3L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A, Supplier Device Package: TO-247-3L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V.
Інші пропозиції SDS065J016G3-ISATH за ціною від 123.80 грн до 371.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SDS065J016G3-ISATH | Виробник : Sanan Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 16A, TO247-3L, Industrial Grade |
на замовлення 197 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|