SDS065J016H3-ISATH Sanan Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 352.21 грн |
| 10+ | 198.50 грн |
| 120+ | 164.92 грн |
| 510+ | 134.17 грн |
| 1020+ | 129.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SDS065J016H3-ISATH Sanan Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 44A TO2472L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 837pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 44A, Supplier Device Package: TO-247-2L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 48 µA @ 650 V.
Інші пропозиції SDS065J016H3-ISATH за ціною від 177.38 грн до 398.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SDS065J016H3-ISATH | Виробник : Sanan Power Semiconductor |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 44A TO2472LPackaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 837pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 44A Supplier Device Package: TO-247-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 48 µA @ 650 V |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|