SDS065J020D3-ISARH Sanan Power Semiconductor
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 387.91 грн |
| 10+ | 248.52 грн |
| 100+ | 177.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SDS065J020D3-ISARH Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2522L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 51A, Supplier Device Package: TO-252-2L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.
Інші пропозиції SDS065J020D3-ISARH
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SDS065J020D3-ISARH | Sanan Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 20A, TO252-2L, Industrial Grade |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SDS065J020D3-ISARH |
|
Виробник: Sanan Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 20A, TO252-2L, Industrial Grade
SiC Schottky Diodes 650V 20A, TO252-2L, Industrial Grade
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)