SDS065J020D3-ISARH Sanan Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 343.24 грн |
| 10+ | 241.09 грн |
| 100+ | 150.25 грн |
| 500+ | 143.96 грн |
| 1000+ | 139.76 грн |
| 2500+ | 134.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SDS065J020D3-ISARH Sanan Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2522L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 51A, Supplier Device Package: TO-252-2L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.
Інші пропозиції SDS065J020D3-ISARH за ціною від 173.13 грн до 378.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SDS065J020D3-ISARH | Виробник : Sanan Power Semiconductor |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2522LPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 51A Supplier Device Package: TO-252-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
на замовлення 142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
SDS065J020D3-ISARH | Виробник : Sanan Power Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2522L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 51A Supplier Device Package: TO-252-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |