SDS065J020D3-ISARH

SDS065J020D3-ISARH Sanan Power Semiconductor


SDS065J020D3-ISARH.pdf Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+341.34 грн
10+235.20 грн
100+168.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SDS065J020D3-ISARH Sanan Power Semiconductor

Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2522L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 51A, Supplier Device Package: TO-252-2L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.

Інші пропозиції SDS065J020D3-ISARH за ціною від 131.35 грн до 365.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SDS065J020D3-ISARH SDS065J020D3-ISARH Виробник : Sanan Semiconductor SDS065J020D3-ISARH.pdf SiC Schottky Diodes 650V 20A, TO252-2L, Industrial Grade
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+365.50 грн
10+260.44 грн
100+164.57 грн
500+155.51 грн
1000+147.20 грн
2500+131.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020D3-ISARH SDS065J020D3-ISARH Виробник : Sanan Power Semiconductor SDS065J020D3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2522L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.