
SDS120J002D3-ISARH Luminus Devices Inc.

Description: DIODE SIL CARB 1200V 11A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 165pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 1200 V
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 128.92 грн |
10+ | 100.08 грн |
100+ | 75.14 грн |
500+ | 56.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SDS120J002D3-ISARH Luminus Devices Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1200V 11A TO2522L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 165pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 11A, Supplier Device Package: TO-252-2L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції SDS120J002D3-ISARH за ціною від 43.70 грн до 137.33 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SDS120J002D3-ISARH | Виробник : Sanan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2444 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SDS120J002D3-ISARH | Виробник : Luminus Devices Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 165pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 11A Supplier Device Package: TO-252-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |