Продукція > SANAN SEMICONDUCTOR > SDS120J003D3-ISARH
SDS120J003D3-ISARH

SDS120J003D3-ISARH Sanan Semiconductor


Виробник: Sanan Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 3A, TO252-2L, Industrial Grade
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+189.00 грн
10+120.45 грн
100+71.22 грн
500+57.19 грн
1000+52.65 грн
2500+51.53 грн
5000+49.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SDS120J003D3-ISARH Sanan Semiconductor

Description: DIODE 1200V-3A TO252-2L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: TO-252-2L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1.2 kV.

Інші пропозиції SDS120J003D3-ISARH

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SDS120J003D3-ISARH Luminus Devices Inc. Description: DIODE 1200V-3A TO252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1.2 kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS120J003D3-ISARH Luminus Devices Inc. Description: DIODE 1200V-3A TO252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS120J003D3-ISARH
Виробник: Luminus Devices Inc.
Description: DIODE 1200V-3A TO252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1.2 kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS120J003D3-ISARH
Виробник: Luminus Devices Inc.
Description: DIODE 1200V-3A TO252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.