Продукція > SANAN SEMICONDUCTOR > SDS120J003D3-ISARH

SDS120J003D3-ISARH Sanan Semiconductor

Name: SDS120J003D3-ISARH
Brand: Sanan Semiconductor
SKU: 46242572-4
Price: 475.2000000000001 UAH
Availability: InStock

Виробник: Sanan Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 3A, TO252-2L, Industrial Grade

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	158.40 грн
10+	129.13 грн
100+	88.80 грн
500+	72.51 грн
1000+	64.51 грн
2500+	60.69 грн
5000+	59.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SDS120J003D3-ISARH Sanan Semiconductor

Description: DIODE 1200V-3A TO252-2L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: TO-252-2L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1.2 kV.

Інші пропозиції SDS120J003D3-ISARH

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	SDS120J003D3-ISARH	Виробник : Luminus Devices Inc.	Description: DIODE 1200V-3A TO252-2L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: TO-252-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1.2 kV	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	SDS120J003D3-ISARH	Виробник : Luminus Devices Inc.	Description: DIODE 1200V-3A TO252-2L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: TO-252-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1.2 kV	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.