SDS120J005D3-ISARH Luminus Devices Inc.
Виробник: Luminus Devices Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1200V 22A TO2522L
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Average Rectified (Io): 22A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 400pF @ 0V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 275.73 грн |
| 10+ | 173.31 грн |
| 100+ | 120.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SDS120J005D3-ISARH Luminus Devices Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1200V 22A TO2522L, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-252-2L, Current - Average Rectified (Io): 22A, Capacitance @ Vr, F: 400pF @ 0V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SDS120J005D3-ISARH
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
SDS120J005D3-ISARH | Luminus Devices Inc. |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 22A TO2522LCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-252-2L Current - Average Rectified (Io): 22A Capacitance @ Vr, F: 400pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
|
SDS120J005D3-ISARH | Sanan Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 5A, TO252-2L, Industrial Grade |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| SDS120J005D3-ISARH |
![]() |
Виробник: Luminus Devices Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1200V 22A TO2522L
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Average Rectified (Io): 22A
Capacitance @ Vr, F: 400pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: DIODE SIL CARB 1200V 22A TO2522L
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Average Rectified (Io): 22A
Capacitance @ Vr, F: 400pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SDS120J005D3-ISARH |
![]() |
Виробник: Sanan Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 5A, TO252-2L, Industrial Grade
SiC Schottky Diodes 1200V 5A, TO252-2L, Industrial Grade
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.



